就在商场音讯传出晶圆代工龙头台积电将在9月份开端量产3纳米制程之后,有来自内部的PPT指出,更先进一步增强版的N3E制程也正在研制之中。 而依据台积电之前官方的说法,N3E制程将在N3制程量产后的一年进行量产,而就这张内部PPT的材料显现,虽未标明该PPT的日期,但可以精确的看出N3E的开展顺畅,甚至有发展超前的状况。
依据外媒Tomshardware 的报导,该张 PPT 表明,从危险试产的时刻点来看,N3E 制程的出产的 SRAM 良率显着高于 N3 制程。有音讯指出,现在N3E的SRAM均匀良率约为80%。相同令人形象十分深入的是,Mobile和 HPC 测验芯片的良率也约为 80%。还有,通过良率验证的环形振荡器功能优于92%。
报导表明,关于关于N3E制程发展顺畅的报导并不感到惊奇,原因是台积电规划的N3E由于将晶体管密度些微下降,这天然带来了更高良率的优势。别的,N3E 工艺的其他优势还包含了更好的运算速度,以及更低的功耗发生。
此外,有相关新闻媒体报导,台积电关于曩昔不在美国出产3纳米制程的决议,现在可能有了改动。从前的决议是不期望在台湾区域以外的区域出产先进制程,可是由于近期美国芯片计划完结立法,关于美国政府供给的经费补助,招引了台积电可能在美国出资第二座晶圆厂进行先进制程出产的主意。不过,这样的音讯台积电方面并不回应。
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